LED技術突破
：2018-03-06
：333
美國研究人員制作無下垂LED
香檳分校伊利諾伊大學的研究人員開發了一種制造更明亮、更高效的綠色LED今年的新方法。使用工業標準的半導體生長方法，在硅襯底上生長氮化鎵（GaN）立方晶體，以產生用于固態照明的強大的綠光。
“這項工作是非常革命的這為新型綠色波長的發射器，可以針對先進的固態照明在一個可擴展的CMOS硅平臺的新材料開發，立方氮化鎵，說：”可以Bayram，于伊利諾斯電氣和計算機工程的助理教授
通常，氮化鎵形成兩種晶體結構之一：六方晶系或立方晶系。六方GaN在熱力學上是穩定的，傳統的半導體應用形式。然而，六方形式的GaN更容易極化，內部電場將帶負電的電子和帶正電的空穴分開，阻止它們結合，從而降低光輸出效率。
巴伊蘭和他的研究生Richard Liu的研究引入了一個立方GaN晶體的形式，他們認為它可以使LED零下垂。對于綠色，藍色或紫外線LED，發光效率普遍下降，較高的電流輸入，其特點是“下垂”。
進一步閱讀的相關文章：研究人員使綠色LED更加明亮和高效。
Ostendo Epilab推出世界上第一個全彩色的GaN基LED
位于卡爾斯巴德加利福尼亞南部，Ostendo EpiLab推出了世界上第一個RGB LED。基于LED的GaN技術使用三個特定的材料構成的量子結構發出不同顏色的光，顏色LED可以單獨或混合排放。傳統的LED通常是單色的，只能發出一個波長。為了實現多彩的RGB照明效果，需要一個以上的LED來混合所需的顏色。
顏色由LED所用的熒光粉涂層或襯底材料決定。只有少數研究人員試圖制造一種能夠發射全范圍RGB顏色的LED芯片。
ostendo開發下一代固態照明（SSL）為基礎的顯示技術和產品的商業和消費市場的目的在實現效率和成本效益的材料，設備和系統的水平。ostendo的有利的技術支持，在各自的市場顛覆性的產品。
紫外LED曲面透鏡技術進展
重慶綠色智能在中國科學院公布了新的進步，在紫外LED曲面透鏡技術所集成光學技術研究所，可應用于紫外光源接觸，PCB，液晶顯示器，甚至在觸摸屏的應用。中國研究院已獲得專利cn203642076u UV LED透鏡，和高度統一的UV LED曝光cn201420651432.4。
傳統的平行光曝光機使用高壓水銀燈因為光源有很短的壽命為1000小時，高功率消耗和污染物。用以取代汞燈光源的紫外發光二極管壽命幾乎是汞燈的50倍，可將能源消耗減少90%，大大降低生產成本，降低環境污染。
該研究所在LED多個曲面的精密照明方面取得了重大突破，適用于紫外波段和非有機光學元件加工等關鍵技術。研制的初始階段是以紫外LED準直曝光機為基礎，準直半角度可控制在2°以內，照度分布不均勻小于3%，光強可達40毫瓦/平方厘米。
saphlux開發新技術來解決問題，Shuji Nakamura就
于2014由來自耶魯大學的Jung Han教授，GaN材料供應商saphlux終于在2016年初提供了新的解決方案。該公司拒絕透露細節，因為它涉及到機密業務信息，最終擺脫了傳統的半極性氮化鎵材料增長模型。該公司已能夠提供標準的大尺寸藍寶石襯底，可直接用于生長半極化氮化鎵，并控制晶體的生長方向和形狀。
這項技術突破表明，該行業將能夠解決量子下垂的瓶頸，以及第一代LED材料的綠色差距，從而生產出高效的LED和激光器。
上一篇：
韓國的LED產業發展分析
下一篇：
中國OLED制造商向韓國制造商發出挑戰，宣布...
